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靜態二次離子質譜（TOF-SIMS）

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TOF-SIMS基本內容及案例分析

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表征技術：飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）

飛行時間二次離子質譜（ TOF-SIMS ）是一種結合二次離子質譜與飛行時間質量分析器的表面表征技術。該技術由 Beninghoven 教授團隊于 20 世紀 80 年代初首次研制，后經多次迭代升級，在分析性能、數據處理效率及軟件操作性方面均取得顯著提升。如今， TOF-SIMS 已成為成熟且應...

2025-09-15

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二次離子質譜SIMS：原理與基本概念

二次離子質譜 SIMS ：原理與基本概念二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS ）是一種高靈敏度的表面分析技術，廣泛應用于材料科學、半導體制造、地質學和生物學等領域； SIMS 通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的原子或分子濺射出...

2024-12-03

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二次離子質譜SIMS兩種模式的應用特點

二次離子質譜 SIMS 兩種模式的應用特點二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS ）是一種高靈敏度、高分辨率的表面分析技術，廣泛應用于材料科學、地球化學、半導體工業、生物學等多個領域。 SIMS 有兩種主要的工作模式：靜態 SIMS （ Sta...

2024-11-27

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二次離子質譜(SIMS)技術詳解：分析與應用

二次離子質譜 (SIMS) 技術詳解：分析與應用二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ， SIMS ）是一種用于深度分析樣品表面和亞表面結構的分析技術；它通過將樣品表面濺射出二次離子，然后利用質譜儀分析這些離子的質量和濃度，從而獲取樣品表面和亞表面的...

2024-09-29

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二次離子質譜大科普！TOF-SIMS實例分析

二次離子質譜大科普！ TOF-SIMS 實例分析二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ， SIMS ）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出的二次離子因質量不同而飛行到探測器的時間不同，實現不同元素、同位素及分子結構的探測。一、...

2024-01-19

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動態二次離子質譜儀（D-SIMS）在材料分析中的用途

動態二次離子質譜儀（ D-SIMS ）在材料分析中的用途動態二次離子質譜儀 D-SIMS 是一種材料表面分析技術，它基于二次離子發射原理，利用高能離子束轟擊樣品表面，通過分析產生的二次離子來獲取材料表面的化學信息。 D-SIMS 技術在材料科學、半導體、薄膜、生物醫學、地質學等領域具有廣泛的應用...

2023-12-14

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動態二次離子質譜技術(D-SIMS)改變表面分析的局限性

動態二次離子質譜技術 (D-SIMS) 改變表面分析的局限性動態二次離子質譜技術（ Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry ，簡稱 D-SIMS ）是一種先進的表面分析技術，它通過對樣品表面進行高能離子轟擊，產生微量的二次離子，并通過質量分析器對這些二次...

2023-12-14

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表面分析利器——TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜儀

TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）是通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量的極高分辨率的測量技術。 TOF-SIMS具有極高分辨率，可以提供表面...

2023-12-11

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