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    【頂刊速覽】2021年量子點(diǎn)材料最新研究進(jìn)展
    來(lái)源:測(cè)試GO 時(shí)間:2021-09-18 11:32:08 瀏覽:4766次

    1、引言

    傳統(tǒng)體相半導(dǎo)體材料因其具有獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)特性,已經(jīng)在電腦、移動(dòng)電話、激光和衛(wèi)星等各領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。通過(guò)分子束外延(MBE)和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等逐層晶體生長(zhǎng)技術(shù)可以有效對(duì)體相半導(dǎo)體材料進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)和組分進(jìn)行調(diào)控和設(shè)計(jì),制備出具有寬范圍可調(diào)光電特性的高結(jié)晶性Si和III-V(例如GaAs、InP和GaN)等半導(dǎo)體。

    與體相半導(dǎo)體材料相比,量子點(diǎn)材料是一種半徑小于或者接近波爾半徑,能夠接受激發(fā)光產(chǎn)生熒光的半導(dǎo)體納米材料,當(dāng)其降低到一定的臨界尺寸后,電子在三維上的運(yùn)動(dòng)受到限制,能夠表現(xiàn)出量子限域效應(yīng)。與體相半導(dǎo)體材料相比較,量子限域結(jié)構(gòu)能表現(xiàn)出與尺寸相關(guān)的電子特性,受限制的電子運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致一個(gè)離散的類似原子的電子結(jié)構(gòu)和大小依賴的能級(jí),因此在化學(xué)、物理、電學(xué)和光學(xué)性能等方面具有更高的可調(diào)控性,在材料和器件設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出更高的杠桿作用[1]

    1、Nature Communications:一種用于神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)系統(tǒng)的柔性、靈活、超靈敏光電傳感器陣列

    視覺(jué)系統(tǒng)對(duì)生物體的生存和競(jìng)爭(zhēng)必不可少。在視覺(jué)信息處理過(guò)程中,大腦視覺(jué)中樞做出復(fù)雜行為判斷前,視網(wǎng)膜在對(duì)光刺激信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)同時(shí)并行處理所捕獲的圖像信息。開(kāi)發(fā)受人眼啟發(fā)的神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)系統(tǒng)主要面臨雙重挑戰(zhàn):既要重現(xiàn)動(dòng)物系統(tǒng)的靈活性、復(fù)雜性和適應(yīng)性,又要通過(guò)高效且簡(jiǎn)潔的計(jì)算加以實(shí)現(xiàn)。

    近年來(lái),基于傳統(tǒng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)成像器或電荷耦合器件(CCD)的數(shù)字視覺(jué)系統(tǒng)迅速發(fā)展起來(lái),通過(guò)串行或粗略并行結(jié)構(gòu)上的擴(kuò)展接口數(shù)字處理單元來(lái)實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)視覺(jué),但是這種方法通常會(huì)面臨功耗高、尺寸大、成本高等缺點(diǎn)。相比而言,人類視覺(jué)系統(tǒng)擁有很多帶有突觸的視神經(jīng)元,能夠探測(cè)圖像信息,并可以存儲(chǔ)信息和處理數(shù)據(jù),因而能平行地處理大量的信息,而每個(gè)突觸活動(dòng)所耗費(fèi)的能量?jī)H為1-100飛焦耳,因此,模擬人類視覺(jué)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)神經(jīng)形態(tài)電路可以將圖像傳感、記憶和處理功能集成到設(shè)備中,實(shí)時(shí)處理連續(xù)的模擬亮度信號(hào)。針對(duì)于此,高集成度、靈活性和超靈敏度是模擬生物處理過(guò)程的實(shí)用人工視覺(jué)系統(tǒng)的關(guān)鍵。

    為此,中國(guó)科學(xué)院金屬研究所成會(huì)明院士團(tuán)隊(duì)與國(guó)內(nèi)多家單位的科研團(tuán)隊(duì)合作開(kāi)發(fā)出一種柔性碳納米管-量子點(diǎn)神經(jīng)形態(tài)人工視覺(jué)光電傳感器[2]。通過(guò)使用半導(dǎo)體性碳納米管和鈣鈦礦量子點(diǎn)的組合,作為神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)系統(tǒng)的有源敏感材料,組裝于一個(gè)1024像素的柔性光電傳感器陣列,實(shí)現(xiàn)了光傳感、信息存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)預(yù)處理等功能以及視覺(jué)圖像強(qiáng)化學(xué)習(xí)過(guò)程(圖1)。該設(shè)備對(duì)光的靈敏度為5.1×107 A /W,探測(cè)靈敏度為2×1016 Jones。高靈敏的光電傳感器可以同時(shí)充當(dāng)人工光感受器和生物突觸,直接對(duì)光刺激作出反應(yīng),并進(jìn)行光可調(diào)突觸可塑性的功能預(yù)處理。這些結(jié)果為人工神經(jīng)形態(tài)視覺(jué)系統(tǒng)的發(fā)展提供了動(dòng)力,以模擬生物視覺(jué)系統(tǒng)的靈活性、復(fù)雜性和適應(yīng)性。基于此,作者進(jìn)一步通過(guò)1 μW/cm2的弱光脈沖訓(xùn)練傳感器陣列,演示了神經(jīng)形態(tài)強(qiáng)化學(xué)習(xí)(圖2)。

    圖1 器件設(shè)計(jì)與表征

    圖2 光傳感裝置外觀與演示

    2、Light: Science and Applications: 基于量子工程非平衡摻雜實(shí)現(xiàn)高效p型摻雜AlGaN

    超寬帶隙(UWBG)氮化物作為新一代半導(dǎo)體,因其可調(diào)諧的直接UWBG、高擊穿場(chǎng)、優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,在高效深紫外照明和探測(cè)、高頻大功率電子器件等領(lǐng)域發(fā)揮著核心作用。近年來(lái),氮基半導(dǎo)體-超導(dǎo)體和單片集成光通信芯片的研究進(jìn)展更是進(jìn)一步顯示了超寬帶氮化物的廣闊前景。其中,AlGaN材料是一種直接可調(diào)UWBG氮化物,可用于制備紫外光源。然而,對(duì)于UWBG氮化物而言,摻雜劑溶解度、自補(bǔ)償、受體活化能(Ea)等問(wèn)題嚴(yán)重阻礙了其高效摻雜,成為了實(shí)現(xiàn)高性能器件的主要障礙。目前溶解度和自我補(bǔ)償?shù)膯?wèn)題在一定程度上得到了改善和優(yōu)化,但是高的Ea依舊是核心問(wèn)題。發(fā)展新型摻雜方法,克服摻雜的物理限制,降低受體激活能,是提升高Al組分AlGaN材料p型摻雜效率的根本,也是推動(dòng)深紫外光源效率提升的關(guān)鍵。

    為此,中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員黎大兵團(tuán)隊(duì)和中科院半導(dǎo)體研究所研究員鄧惠雄合作,報(bào)道了一種通過(guò)量子工程非平衡摻雜實(shí)現(xiàn)高效率p型超寬禁帶氮化物材料的方法(圖3)[3]。通過(guò)采用量子工程非平衡摻雜方法,在AlGaN材料體系中引入GaN量子結(jié)構(gòu),并將摻雜劑集中摻雜在GaN局域量子結(jié)構(gòu)附近的基質(zhì)材料中,形成非平衡材料體系,促使系統(tǒng)價(jià)帶頂(VBM)上移,并保證雜質(zhì)能有效釋放空穴至VBM,從而實(shí)現(xiàn)了高Al組分AlGaN受體摻雜激活能降低。

    理論計(jì)算結(jié)果表明,AlN材料中引入GaN量子點(diǎn)能夠有效調(diào)控整個(gè)體系的價(jià)帶頂位置,并且價(jià)帶頂能級(jí)呈現(xiàn)上升趨(圖4)。基于上述量子工程摻雜理論,通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長(zhǎng)AlGaN:GaN量子點(diǎn)結(jié)構(gòu),并進(jìn)一步通過(guò)發(fā)展“間斷外延”的非平衡生長(zhǎng)法來(lái)實(shí)現(xiàn)AlGaN:GaN量子點(diǎn)非平衡摻雜系統(tǒng)。利用變溫Hall測(cè)試,發(fā)現(xiàn)Mg受體激活能均小于50 meV(圖5),相比體材料均勻摻雜方式的激活能降低了近一個(gè)數(shù)量級(jí),并且空穴濃度均達(dá)到1018 cm-3量級(jí)。將非平衡量子摻雜方法應(yīng)用到深紫外LED中,其性能得到顯著提升。隨著量子材料生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展,這種方法將得到廣泛應(yīng)用,并有望極大地促進(jìn)超寬帶隙半導(dǎo)體器件的發(fā)展。

    圖3 價(jià)帶調(diào)制降低UWBG氮化物中的受體Ea示意圖

    圖4 理論計(jì)算

    圖5 量子工程摻雜AlGaN的空穴導(dǎo)電特性及電導(dǎo)率的變溫Hall測(cè)試

    3、Nature Communications:超高亮度拉曼量子點(diǎn)助力多色光學(xué)成像

    生物分子的空間分布成像是現(xiàn)代生物學(xué)的核心,熒光技術(shù)的發(fā)展使研究人員能夠以納米級(jí)的精度研究亞細(xì)胞結(jié)構(gòu)。例如免疫熒光顯微鏡 (IFM),通過(guò)實(shí)現(xiàn)熒光材料與抗體等親和結(jié)合劑進(jìn)行偶聯(lián),可以有效實(shí)現(xiàn)各種生物標(biāo)志物的分布可視化。在過(guò)去的20年里,光學(xué)和化學(xué)的進(jìn)步促使很多具有優(yōu)秀光物理特性的新的熒光材料得到了開(kāi)發(fā),尤其是發(fā)光納米粒子如量子點(diǎn)和聚合物量子點(diǎn)等。這些熒光納米粒子具有超高的亮度和很強(qiáng)的光穩(wěn)定性,并已被成功地應(yīng)用在IFM細(xì)胞成像研究當(dāng)中。

    然而,針對(duì)細(xì)胞中多個(gè)靶點(diǎn)的同時(shí)多色成像,即同時(shí)觀察復(fù)雜的生物網(wǎng)絡(luò)和相互作用,仍然是一個(gè)懸而未決的挑戰(zhàn),其主要的技術(shù)難題源自于熒光材料的基本“光譜擁擠”問(wèn)題。另一方面,基于拉曼光譜的方法雖然具有更高的光譜分辨率,但通常缺乏生物標(biāo)志物實(shí)際成像所需的靈敏度。

    為了解決對(duì)新型拉曼探針的迫切需求,哥倫比亞大學(xué)閔瑋教授課題組開(kāi)發(fā)了一系列新型拉曼納米量子點(diǎn)顆粒(Raman dots,Rdots)(圖6)[4]。這些Rdots在較小尺寸(直徑約20納米)下可以實(shí)現(xiàn)超高的亮度和與極窄的峰寬,當(dāng)與新興的受激拉曼散射 (SRS) 顯微鏡結(jié)合使用時(shí),這些 Rdots 比之前報(bào)道的拉曼活性有機(jī)探針亮兩到三個(gè)數(shù)量級(jí)。Rdots的亮度、小尺寸以及簡(jiǎn)單方便的表面生物修飾能力特性允許對(duì)哺乳動(dòng)物細(xì)胞和組織切片中的特定蛋白靶點(diǎn)(包括細(xì)胞骨架和低豐度表面蛋白)進(jìn)行免疫染色,具有高成像對(duì)比度(圖7)。

    圖6 Rdots的制備及其生物功能化原理圖

    圖7 使用Rdots進(jìn)行多色成像

    4、Nature Communications:量子點(diǎn)的聲子輔助上轉(zhuǎn)換光致發(fā)光

    光致發(fā)光和電致發(fā)光在我們的日常生活中的信息表達(dá)、獲取和通信中起著至關(guān)重要的作用,然而在這些方面的應(yīng)用主要采用轉(zhuǎn)換光發(fā)射,發(fā)射光子的能量明顯低于激發(fā)光子(或電子空穴對(duì)),這一過(guò)程會(huì)造成大量的能量損耗,且會(huì)使得發(fā)光器件發(fā)熱,縮短器件壽命。目前僅就普通照明而言,上轉(zhuǎn)換發(fā)光就消耗了全球近 15% 的電能,并以廢熱的形式造成嚴(yán)重的能量損失,并進(jìn)一步導(dǎo)致全球變暖,引起安全問(wèn)題。

    與之相對(duì),熱輔助上轉(zhuǎn)換光致發(fā)光 (UCPL) 可以通過(guò)提取以分子振動(dòng)形式存儲(chǔ)在工作介質(zhì)(或晶體中的聲子)中的熱能,發(fā)射能量高于激發(fā)光子的光子。這一過(guò)程可將晶格振動(dòng)中的熱能轉(zhuǎn)化為光能,提高發(fā)光體的能量轉(zhuǎn)換效率,并減少發(fā)熱。目前已有多種材料被發(fā)現(xiàn)具有上轉(zhuǎn)換發(fā)光能力,但由于材料質(zhì)量、制作成本等問(wèn)題,均難以滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。隨著合成技術(shù)的發(fā)展,近年來(lái)人們通過(guò)溶液方法以很低的成本制造出具有優(yōu)異光學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體量子點(diǎn)。量子點(diǎn)被認(rèn)為是一種很有潛力的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料,但其上轉(zhuǎn)換發(fā)光的性質(zhì)、機(jī)理以及應(yīng)用均未得到充分探索。

    基于此浙江大學(xué)彭笑剛、秦海燕課題組報(bào)道了基于溶液量子點(diǎn)的高效上轉(zhuǎn)換發(fā)光,揭示了其基于本征電聲子耦合能級(jí)的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制,并拓展了其在光學(xué)制冷以及高效照明領(lǐng)域的應(yīng)用[5]。研究結(jié)果表明對(duì)于CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn),上轉(zhuǎn)換發(fā)光能夠高效進(jìn)行,并且其上轉(zhuǎn)換熒光量子產(chǎn)率與下轉(zhuǎn)換一致,均接近100%。

    進(jìn)一步的研究結(jié)果表明,與缺陷輔助上轉(zhuǎn)換光致發(fā)光不同,溫度相關(guān)測(cè)量和單點(diǎn)光譜揭示該量子點(diǎn)材料上轉(zhuǎn)換光致發(fā)光和常規(guī)下轉(zhuǎn)換光致發(fā)光共享相同的電子—聲子耦合電子態(tài)。為此,作者提出了基于本征電聲子耦合能級(jí)的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)制以解釋觀察到的上轉(zhuǎn)換發(fā)光現(xiàn)象(圖8)。另外,作者通過(guò)用長(zhǎng)波光激發(fā)封裝在溫度計(jì)中的量子點(diǎn)溶液,實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)相對(duì)于背景溶劑的光學(xué)制冷(圖8),并進(jìn)一步利用量子點(diǎn)高效上轉(zhuǎn)換發(fā)光的特性,實(shí)現(xiàn)LED光譜在短波側(cè)的拓寬,構(gòu)建了具有高顯色性(CRI>90)的高效白光照明光源(圖9)。總的來(lái)說(shuō),膠體量子點(diǎn)是一種高效、穩(wěn)定、經(jīng)濟(jì)的上轉(zhuǎn)換光致發(fā)光發(fā)射體,具有廣泛的應(yīng)用前景。

    圖8 基于本征電聲子耦合能級(jí)的上轉(zhuǎn)換發(fā)光機(jī)理圖

    圖9 基于量子點(diǎn)上轉(zhuǎn)換發(fā)光的相對(duì)光學(xué)制冷

    圖10 基于量子點(diǎn)上轉(zhuǎn)換發(fā)光的高顯色性白光光源

    5、Chemical Engineering Journal: 硼量子點(diǎn)納入 3D 交聯(lián) rGO 骨架以構(gòu)建高效儲(chǔ)鋰負(fù)極

    鋰離子電池(LIBs)在推動(dòng)消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車(chē)和大規(guī)模固定儲(chǔ)能的快速發(fā)展中發(fā)揮了重要作用,硼作為鋰離子電池的負(fù)極材料,由于其嵌鋰相LixB ( x =1~5) 所具有的超高理論容量:2479~12395 mAhg -1,以及廉價(jià)、無(wú)毒的特性,已或多或少受到一定的關(guān)注。然而,硼材料存在強(qiáng)共價(jià)鍵所構(gòu)建的內(nèi)在聚合硼骨架,并且聚合硼幾乎不能被激活,表現(xiàn)出電化學(xué)惰性,很難與鋰直接反應(yīng),導(dǎo)致硼負(fù)極在實(shí)際電池中的大規(guī)模應(yīng)用受到嚴(yán)重阻礙。

    受碳/金屬量子點(diǎn)(QD) 在能量存儲(chǔ)中的應(yīng)用啟發(fā),量子點(diǎn)材料擁有獨(dú)特的表面/邊緣效應(yīng),并且可以為電解質(zhì)和電極之間的插層創(chuàng)造出色的界面。因此將硼的尺寸減小到量子尺寸也是一種有效的策略,不僅可以極大地提高硼的電化學(xué)活性,而且可以為離子吸附和解吸提供更多的活性位點(diǎn),從而增加容量和改善離子擴(kuò)散和電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)。然而,用作負(fù)極材料的活性 QD 會(huì)產(chǎn)生高暴露于電解質(zhì)的表面,導(dǎo)致固體電解質(zhì)中間相 (SEI) 層的循環(huán)形成和分解。

    為此,中北大學(xué)王慧奇課題組通過(guò)硼納米片的低溫液相剝離合成了量子尺寸的硼點(diǎn)(BQDs)并結(jié)合到導(dǎo)電石墨烯基質(zhì)中,從而形成了3D交聯(lián)的 BQDs/還原氧化石墨烯骨架(B@rGO)作為鋰離子電池的負(fù)極(圖10)[6]。3D交聯(lián)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)激活 BQD 可逆地儲(chǔ)存/釋放鋰,并賦予相關(guān)的大孔/中孔,其中電解質(zhì)可以輕松進(jìn)入高效鋰的輸送途徑和活性吸附/解吸位點(diǎn)(圖11)。所開(kāi)發(fā)的負(fù)極在0.05 Ag -1的電流密度下具有2651 mAhg-1的超高容量,在 0.1 Ag-1下具有出色的長(zhǎng)循環(huán)穩(wěn)定性,500圈后容量保持率為836 mAhg -1(圖12)。并且該復(fù)合材料具有優(yōu)異的倍率性能,10 Ag-1的大電流密度下仍然可以提供202 mAhg -1的容量。

    圖11 BQD@rGO骨架的制備示意圖

    圖12 BQD@rGO骨架的孔徑結(jié)構(gòu)表征以及成鍵方式

    圖13 BQD@rGO骨架的電化學(xué)性能

    參考文獻(xiàn)

    [1] Pelayo García de Arquer et al. Semiconductor quantum dots: Technological progress and future challenges. Science,2021, 373, 640.

    [2] Zhu et al. A flexible ultrasensitive optoelectronic sensor array for neuromorphic vision systems. Nature Communications, 2021, 12, 1798.

    [3] Jiang et al. Quantum engineering of non-equilibrium efficient p-doping in ultra-wide band-gap nitrides. Light: Science & Applications, 2021,10, 69.

    [4] Zhao et al. Ultra-bright Raman dots for multiplexed optical imaging. Nature Communications, 2021, 12, 1305.

    [5] Ye et al. Phonon-assisted up-conversion photoluminescence of quantum dots. Nature Communications, 2021,12,4283.

    [6] Wang et al. Incorporating quantum-sized boron dots into 3D cross-linked rGO skeleton to enable the activity of boron anode for favorable lithium storage. Chemical Engineering Journal, 2021, 425, 130659.

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